NPN与PNP晶体管晶体管是3个末端半导体设备。基于内部操作和结构晶体管,分为两类,双极连接晶体管(BJT)和现场效应晶体管(FET)。BJT是1947年由约翰·巴丁(John Bardeen)和贝尔电话实验室(Bell Telephone Laboratories)的沃尔特·布拉塔(Walter Brattain)开发的。PNP […]
之间的区别
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BJT与IGBT BJT(双极连接晶体管)和IGBT(绝缘栅极双极晶体管)是用于控制电流的两种类型的晶体管。两个设备都有PN连接,设备结构不同。尽管两者都是晶体管,但它们在特征上有显着差异。BJT(双极连接晶体管)BJT是一种由[…]组成的晶体管
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IGBT vs晶闸管晶闸管和IGBT(绝缘栅极双极晶体管)是两种具有三个末端的半导体设备,它们都用于控制电流。两种设备都有一个称为“门”的控制终端,但具有不同的操作原理。晶闸管晶闸管由四个交替的半导体层制成(以[…]的形式形式
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BJT vs SCR均BJT(双极连接晶体管)和SCR(硅控制整流器)是具有交替的P型和N型半导体层的半导体设备。由于许多原因,例如效率,低成本和尺寸较小,它们都用于许多切换应用中。他们俩都是三个终端设备,它们提供了[…]
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BJT vs FET均BJT(双极连接晶体管)和FET(田间效应晶体管)是两种类型的晶体管。晶体管是一种电子半导体设备,可为小输入信号的小变化提供很大变化的电输出信号。由于这种质量,该设备可以用作放大器或开关。[…]
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