BJT vs fet
BJT(双极连接晶体管)和FET(场效应晶体管)都是两种类型的晶体管。晶体管是一种电子半导体设备,可为小输入信号的小变化提供很大变化的电输出信号。由于这种质量,该设备可以用作放大器或开关。晶体管于1950年代发行,考虑到它对IT的发展的贡献,它可以被认为是20世纪最重要的发明之一。已经测试了不同类型的晶体管体系结构。
双极连接晶体管(BJT)
BJT由两个PN连接(通过连接P型半导体和N型半导体制成的连接)组成。这两个连接是使用以P-N-P或N-P-N顺序连接三个半导体零件形成的。有两种称为PNP和NPN的BJT类型。
三个电极连接到这三个半导体零件,中间铅称为“基础”。其他两个连接是“发射器”和“收藏家”。
在BJT中,大型收集器发射极(IC)电流由小型基础发射器电流(IB)控制,并且该属性被利用为设计放大器或开关。那里可以将其视为当前驱动的设备。BJT主要用于放大器电路。
现场效应晶体管(FET)
FET由三个被称为“门”,“源”和“排水”的终端制成。这里的排水电流由门电压控制。因此,FET是电压控制的设备。
根据用于源和排水的半导体类型(在FET中,这两个都由相同的半导体类型制成),FET可以是N通道或P通道设备。通过将适当的电压施加到门上,通过调节通道宽度来控制排水电流流的源。还有两种方法可以控制被称为耗竭和增强的通道宽度。因此,FET有四种不同类型的FET,例如具有耗竭或增强模式的N通道或P通道。
有多种类型的FET,例如MOSFET(金属氧化物半导体FET),HEMT(高电子迁移式晶体管)和IGBT(绝缘栅极双极晶体管)。由纳米技术的发展导致的CNTFET(碳纳米管FET)是FET家族的最新成员。
BJT和FET之间的差异 1. BJT基本上是当前驱动的设备,尽管FET被认为是电压控制的设备。 2. BJT的末端被称为发射极,收集器和底座,而FET由栅极,源和排水组成。 3.在大多数新应用程序中,FET都比BJTS使用。 4. BJT使用电子和孔进行传导,而FET仅使用其中一种,因此称为单极晶体管。 5. FET比BJT是有效的。 |
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