BJT vs IGBT
BJT(双极连接晶体管)和IGBT(绝缘栅极双极晶体管)是用于控制电流的两种类型。两个设备都有PN连接,设备结构不同。尽管两者都是晶体管,但它们在特征上有显着差异。
BJT(双极连接晶体管)
BJT是一种由两个PN连接组成的晶体管(通过连接P型半导体和N型半导体制成的连接)。这两个连接是使用以P-N-P或N-P-N顺序连接三个半导体零件形成的。因此,可以使用两种类型的BJT,称为PNP和NPN。
三个电极连接到这三个半导体零件,中间铅称为“基础”。其他两个连接是“发射器”和“收藏家”。
在BJT中,大型收藏家发射器(我C)电流由小基础发射极电流控制(ib),并且该属性被利用为设计放大器或开关。因此,可以将其视为当前驱动的设备。BJT主要用于放大器电路。
IGBT(绝缘栅极晶体管)
IGBT是一种半导体设备,其三个终端称为“发射极”,“收集器”和“门”。它是一种晶体管,可以处理更高的功率,并且具有更高的开关速度,从而使其高效。IGBT已于1980年代引入市场。
IGBT具有MOSFET和双极连接晶体管(BJT)的组合特征。它像MOSFET一样驱动门,并且具有当前的电压特性,例如BJT。因此,它具有高电流处理能力和易于控制的优势。IGBT模块(由许多设备组成)处理千瓦的功率。
BJT和IGBT之间的差异 1. BJT是当前驱动的设备,而IGBT由栅极电压驱动 2. IGBT的终端被称为发射极,收集器和门,而BJT是由发射极,收集器和基础制成的。 3. IGBT的功率处理能力比BJT更好 4. IGBT可以被认为是BJT和FET的组合(现场效应晶体管) 5.与BJT相比,IGBT具有复杂的设备结构 6.与IGBT相比,BJT历史悠久 |
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