CMOS vs TTL
随着半导体技术的出现，开发了集成电路，他们已经找到了涉及电子技术的每种形式的技术。从通信到医学，每个设备都有集成的电路，如果使用当今的高级半导体技术，则建立在微型硅晶片上的电路（如果使用普通组件实现）会消耗大空间和能量。
所有数字集成电路都是使用逻辑门作为其基本构建块实施的。每个门都是使用小型电子元件（例如晶体管，二极管和电阻器）构建的。使用耦合晶体管和电阻器构建的逻辑门集被统称为TTL Gate家族。为了克服TTL大门的缺点，设计了更多技术先进的方法论，是针对门构建的，例如PMOS，NMOS和最新和流行的互补金属氧化物半导体类型或CMOS。
在集成电路中，门是在技术上称为底物的硅晶片上构建的。基于用于门构建的技术，由于基本栅极设计的固有特性，例如信号电压水平，功耗，响应时间和集成规模，因此IC还分为TTL和CMO的家族。
More about TTL
TRW的James L. Buie于1961年发明了TTL，它是DL和RTL逻辑的替代品，很长一段时间以来一直是仪器和计算机电路的首选IC。TTL集成方法一直在不断开发，现代套餐仍在专门应用程序中使用。
TTLlogic gates are built of coupled bipolar junction transistors and resistors, to create a NAND gate. Input Low (Il）和输入高（iH）有电压范围0
驾驶15pf/400欧姆负载时，平均而言，TTL门的功率耗散为10MW，传播延迟为10NS。但是与CMO相比，功耗相当恒定。TTL对电磁破坏的阻力也更高。
为特定目的开发了许多TTL的变体，例如用于空间应用的辐射硬化TTL包和低功率Schottky TTL（LS），可提供速度（9.5NS）和降低功耗（2MW）的良好组合（2MW）
More about CMOS
1963年,弗兰克Wanlass飞兆半导体公司invented the CMOS technology. However, the first CMOS integrated circuit was not produced until 1968. Frank Wanlass patented the invention in 1967 while working at RCA, at that time.
CMOS逻辑家族已成为最广泛使用的逻辑系列，因为它的众多优势，例如在传输水平期间较少的功耗和低噪声。所有常见的微处理器，微控制器和集成电路都使用CMOS技术。
CMOS逻辑门是使用场效应晶体管FET构建的，并且电路主要没有电阻。结果，在静态状态下，CMOS门在信号输入保持不变的情况下根本不消耗任何功率。输入低（il）和输入高（iH）有电压范围0
CMO和TTL有什么区别？
•TTL组件比等效的CMOS组件相对便宜。但是，由于电路组件较小，与TTL组件相比，CMOS技术往往更大规模，因此需要更少的调节。
•CMOS组件在静态状态下不会消耗功率，但是功耗随时钟速率而增加。另一方面，TTL具有恒定的功耗水平。
• Since CMOS has low current requirements, power consumption is limited and the circuits, therefore, cheaper and easier to be designed for power management.
•由于上升和下降时间较长，CMOS环境中的数字信号可能会更便宜且复杂。
•与TTL组件相比，CMOS组件对电磁破坏更敏感。
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