IGBT与MOSFET
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅极双极晶体管)是两种类型的晶体管,两者都属于栅极驱动类别。两种设备都具有具有不同类型的半导体层的相似外观结构。
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
MOSFET是一种场效应晶体管(FET),由三个终端制成,称为“门”,“源”和“排水”。在这里,排水电流由门电压控制。因此,MOSFET是电压控制的设备。
MOSFET有四种不同类型的MOSFET,例如N通道或P通道,具有耗竭或增强模式。排水和源由N通道MOSFET的N型半导体制成,同样适用于P通道设备。栅极由金属制成,并与源分离,并使用金属氧化物排出。这种绝缘层会导致低功耗,并且在MOSFET中是一个优势。因此,MOSFET用于数字CMOS逻辑中,其中P和N通道MOSFET用作构建块,以最大程度地减少功耗。
尽管MOSFET的概念是很早就提出的(1925年),但实际上是在1959年在贝尔实验室实施的。
绝缘栅极晶体管(IGBT)
IGBT是一种半导体设备,其三个终端称为“发射极”,“收集器”和“门”。它是一种晶体管,可以处理更高的功率,并且具有更高的开关速度,从而使其高效。IGBT于1980年代被引入市场。
IGBT具有MOSFET和双极连接晶体管(BJT)的组合特征。它像MOSFET一样驱动门,并且具有当前的电压特性,例如BJT。因此,它具有高电流处理能力和易于控制的优势。IGBT模块(由许多设备组成)可以处理千瓦的功率。
IGBT和MOSFET之间的差异 1.尽管IGBT和MOSFET都是电压控制的设备,但IGBT具有BJT类似于传导特性。 2. IGBT的末端被称为发射极,收集器和门,而MOSFET由栅极,源和排水管制成。 3. IGBT的功率处理能力比MOSFET更好 4. IGBT具有PN连接,MOSFET没有它们。 5.与MOSFET相比,IGBT的正向电压下降较低 6.与IGBT相比,MOSFET历史悠久 |
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