EPROM和EEPROM的区别

EPROM vs eepm

EEPROM和EPROM是20世纪70年代发展起来的两种存储元件。这些是非易失性、可擦性和可重编程的内存类型，通常用于硬件编程。

EPROM是什么?

EPROM代表可擦可编程只读存储器，也是一类非易失性存储设备，可编程也可擦除。EPROM是由英特尔的Dov Frohman在1971年基于对有缺陷的集成电路的调查而开发的，在这些集成电路中晶体管的门连接被破坏了。

EPROM存储单元是一个大的浮栅场效应晶体管集合。数据(每位)被写入芯片内部的单独场效应晶体管，使用程序在内部创建源漏接触。基于单元地址，一个特定的场效应晶体管存储数据和电压远高于正常数字电路的工作电压在这一操作中使用。当电压被移除时，电子被困在电极中。由于二氧化硅(SiO₂)栅极之间的绝缘层长时间保存电荷;因此记忆可以保存10到20年。

EPROM芯片被暴露在强紫外线源(如汞蒸气灯)下擦除。可以使用波长小于300nm的紫外光，并在近距离(<3cm)暴露20 -30分钟进行擦除。为此，EPROM封装与熔融石英窗口，暴露硅芯片到光。因此，从这一特征熔合石英窗口很容易识别出EPROM。擦除也可以用x光来完成。

eprom基本上被用作大型电路中的静态存储器。它们被广泛用作计算机主板的BIOS芯片。但它们被EEPROM等更便宜、更小、更快的新技术所取代。

eepm是什么?

eepm代表电子可擦可编程只读存储器，哪一个是最广泛使用的存储单元类型，直到闪存可用。EEPROM是由Intel的George Perlogos于1978年在先前开发的EPROM技术基础上开发的。英特尔2816是第一个商业推出的EEPROM芯片。

eeprom也是像eprom一样的大量浮栅mosfet，但与eprom不同的是，eeprom在栅极之间有一层较薄的绝缘层。因此，闸门中的电荷可以通过电子方式改变。eeprom既可电子编程又可擦除。它们可以被编程，擦除，然后重新编程，而不需要从电路中移除。但是电路必须设计得能适应特殊编程信号的传输。

根据数据通信方式，eeprom分为串行和并行接口类型。通常，并行总线芯片有一个8位宽的数据总线，这允许更广泛的内存使用。相比之下，串行接口类型有较少的引脚;因此，操作必须以串行的方式执行。因此，与串行接口类型的EEPROM相比，并行EEPROM速度更快，通常使用。

EEPROM芯片广泛应用于计算机和其他电子设备中，用于存储少量的数据，这些数据必须在断电时保存，并在重新启动时恢复。配置细节和校准表等信息存储在eeprom中。eeprom也被用作BIOS芯片。现在，作为EEPROM的变体，FLASH ROM已经占领了市场，因为它的容量，低成本和耐用性。

EEPROM和EPROM的区别是什么?

eprom必须在紫外线照射下擦除，eeprom可以通过电子方式擦除。

eprom在封装中有一个石英窗口，将芯片暴露在紫外线下，eeprom完全包裹在一个不透明的塑料外壳中。

EPROM是较老的技术。