nand flash vs nor Flash
Flash memory is one of the most commonly used nonvolatile semiconductor memory types in the modern computing systems and in a wide range of mobile devices and consumer devices. NAND flash and NOR flash are the predominant forms of flash technology. Flash memory technology is an extension from EEPROM and NAND/ NOR stands for the gate architecture used in constructing the memory devices.
什么是NAND FLASH？
将闪存芯片分为称为块的擦除片段，并将数据存储到这些擦除块中。在NAND Flash体系结构中，这些块是顺序连接的。擦除块的尺寸为8KB至32KB，它们较小，可以增加读取，写入和擦除速度。此外，使用复杂的串行连接界面连接NAND设备，并且界面可能因制造商而异。通常，使用八个引脚来传达，控制和检索数据信息。在一次瞬间，使用了所有八个引脚，通常在512kb爆发中传输数据。
结构上的NAND体系结构旨在优化高密度光刻，这是将随机访问能力的权衡取得较小的块大小。这使得NAND的闪存在每卷成本方面便宜。从理论上讲，NAND闪光灯的密度是Nor Flash的两倍。
NAND FLASH适用于数据存储目的。PC卡，紧凑型闪光灯，SD卡和MP3播放器使用NAND闪存驱动器作为内存。
什么是闪光灯？
闪存也不是两种闪存类型中的较旧。在NOR Flash的内部电路配置中，单个存储单元并联连接；因此，可以随机顺序访问数据。由于这种随机访问功能，在检索信息以进行执行时也没有很短的读取时间。NOR类型闪光灯是可靠的，并且会导致较少的翻转问题。
NOR闪光灯中的擦除块的密度低于NAND架构。因此，每卷的成本更高。但是，与NAND Flash相比，在操作过程中，它也消耗了较高的能量水平。同样，写入速度和擦除速度也很低。但是，由于随机访问体系结构的构建，使用NOR Flash执行的代码执行要高得多。
NOR Flash用于在设备中存储代码，例如数码相机的代码存储单元和其他嵌入式应用程序。
NAND FLASH和NOR FLASH有什么区别？
•NOR Flash比NAND FLASH体系结构更古老。
•NAND Flash的擦除块密度比NOR闪光灯要高得多。
•在NAND闪存体系结构中，擦除块是连续连接的，而在NOR闪存中，它们是并行连接的。
•访问类型NAND是顺序的，而随机访问也不是。
因此,阅读速度也快the NAND.
•与NAND Flash相比，NOR Flash的擦除速度非常缓慢，而NOR的写入速度也很慢。
•NAND可以经历100,000-1,000,000个擦除周期，而也不能仅维持约10,000-100,000个周期。
•NOR FLASH更可靠，并且位于位置的百分比较小，而NAND闪光灯需要增加错误管理。
•NAND闪烁适用于数据存储，而也不适用于代码存储。
•与每卷成本相比，与NOR闪光记忆相比，NAND闪存更便宜。
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